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| Número de pieza | IDM08G120C5XTMA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 8A (DC) |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.95V @ 8A |
| Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40µA @ 1200V |
| Capacitancia @ Vr, F | 365pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO252-2 |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 175°C |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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IDM08G120C5XTMA1 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 1200V 8A TO252-2 | 0 | Detalles |