Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.
| Número de pieza | IDDD20G65C6XTMA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 51A (DC) |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
| Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 67µA @ 420V |
| Capacitancia @ Vr, F | 970pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 10-PowerSOP Module |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-HDSOP-10-1 |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 175°C |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | SIC DIODES | - | 13766 | Detalles |