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| Número de pieza | D650N04TXPSA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 650A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 950mV @ 450A |
| Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20mA @ 400V |
| Capacitancia @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / caja | DO-200AA, A-PUK |
| Paquete de dispositivo del proveedor | - |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -40°C ~ 180°C |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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D650N02TXPSA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 200V 650A | - | 1327 | Detalles |
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D650N04TXPSA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 400V 650A | - | 614 | Detalles |
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D650N06TXPSA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 650A | - | 1170 | Detalles |
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D650N08TXPSA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 800V 650A | - | 614 | Detalles |