Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.
| Número de pieza | BSZ15DC02KDHXTMA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N and P-Channel Complementary |
| Característica FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.1A, 3.2A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 110µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 419pF @ 10V |
| Potencia - Max | 2.5W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 8-PowerTDFN |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TSDSON-8-FL |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ15DC02KDHXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON | 0 | Detalles |