BSP373 E6327

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
BSP373 E6327 P1
BSP373 E6327 P1
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Infineon Technologies ~ BSP373 E6327

Número de pieza
BSP373 E6327
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- BSP373 E6327 PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza BSP373 E6327
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 1.7A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 1.7A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PG-SOT223-4
Paquete / caja TO-261-4, TO-261AA

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