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| Número de pieza | BSC072N025S G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 15A (Ta), 40A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 30µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2230pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 2.8W (Ta), 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2 mOhm @ 40A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8 |
| Paquete / caja | 8-PowerTDFN |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BSC0702LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TDSON | - | 0 | Detalles |
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BSC070N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8 | - | 20000 | Detalles |
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BSC070N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A TDSON-8 | 5000 | Detalles | |
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BSC072N025S G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 40A TDSON-8 | 0 | Detalles | |
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BSC072N03LD G | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON | - | 20000 | Detalles |
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BSC072N03LDGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON | - | 113136 | Detalles |
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BSC072N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 74A 8TDSON | 0 | Detalles | |
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BSC076N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 | - | 50000 | Detalles |
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BSC077N12NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON | - | 25000 | Detalles |
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BSC079N03LSCGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A 8TDSON | 5000 | Detalles | |
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BSC079N03SG | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8 | 0 | Detalles | |
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BSC079N10NSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8 | - | 0 | Detalles |