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Número de pieza | GA50JT06-258 |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | - |
Tecnología | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Vgs (Max) | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 769W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 50A |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 225°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-258 |
Paquete / caja | TO-258-3, TO-258AA |