HUFA75309T3ST

MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223
HUFA75309T3ST P1
HUFA75309T3ST P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ HUFA75309T3ST

Número de pieza
HUFA75309T3ST
Fabricante
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza HUFA75309T3ST
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 352pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 3A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor SOT-223-4
Paquete / caja TO-261-4, TO-261AA

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