HUF76629D3S

MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
HUF76629D3S P1
HUF76629D3S P2
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Fairchild/ON Semiconductor ~ HUF76629D3S

Número de pieza
HUF76629D3S
Fabricante
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- HUF76629D3S PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza HUF76629D3S
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 20A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1285pF @ 25V
Vgs (Max) ±16V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52 mOhm @ 20A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TO-252AA
Paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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