HGT1S2N120CN

IGBT 1200V 13A 104W I2PAK
HGT1S2N120CN P1
HGT1S2N120CN P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ HGT1S2N120CN

Número de pieza
HGT1S2N120CN
Fabricante
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción
IGBT 1200V 13A 104W I2PAK
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - IGBT - Simple
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Número de pieza HGT1S2N120CN
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de IGBT NPT
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 13A
Corriente - colector pulsado (Icm) 20A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 2.6A
Potencia - Max 104W
Conmutación de energía 96µJ (on), 355µJ (off)
Tipo de entrada Standard
Cargo de puerta 30nC
Td (encendido / apagado) a 25 ° C 25ns/205ns
Condición de prueba 960V, 2.6A, 51 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr) -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / caja TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paquete de dispositivo del proveedor TO-262

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