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| Número de pieza | FQD8P10TF |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6.6A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 470pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 2.5W (Ta), 44W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530 mOhm @ 3.3A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D-Pak |
| Paquete / caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FQD10N20CTF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK | - | 0 | Detalles |
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FQD10N20CTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK | - | 22500 | Detalles |
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FQD10N20CTM_F080 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK | - | 0 | Detalles |
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FQD10N20LTF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK | - | 0 | Detalles |
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FQD10N20LTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK | - | 15000 | Detalles |
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FQD10N20TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK | 0 | Detalles | |
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FQD10N20TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK | 0 | Detalles | |
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FQD11P06TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK | - | 0 | Detalles |
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FQD11P06TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK | - | 50000 | Detalles |
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FQD12N20LTF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK | - | 0 | Detalles |
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FQD12N20LTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK | - | 0 | Detalles |
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FQD12N20LTM-F085 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK | - | 69006 | Detalles |