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| Número de pieza | FQB55N10TM |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 55A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 98nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2730pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 3.75W (Ta), 155W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 27.5A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D²PAK (TO-263AB) |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FQB50N06LTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK | - | 0 | Detalles |
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FQB50N06TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK | - | 0 | Detalles |
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FQB55N06TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK | 0 | Detalles | |
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FQB55N10TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK | - | 0 | Detalles |
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FQB5N15TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 5.4A D2PAK | 0 | Detalles | |
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FQB5N20LTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 4.5A D2PAK | 0 | Detalles | |
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FQB5N20TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 4.5A D2PAK | 0 | Detalles | |
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FQB5N30TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 300V 5.4A D2PAK | 0 | Detalles | |
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FQB5N40TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 4.5A D2PAK | 0 | Detalles | |
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FQB5N50CFTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK | 0 | Detalles | |
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FQB5N50CTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 5A A.D2PAK | - | 800 | Detalles |
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FQB5N50TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK | 0 | Detalles |