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| Número de pieza | FDP047AN08A0 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 75V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 15A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 138nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6600pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 310W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7 mOhm @ 80A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220-3 |
| Paquete / caja | TO-220-3 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FDP020N06B-F102 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 | - | 11374 | Detalles |
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FDP020N06B_F102 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 | - | 1173 | Detalles |
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FDP023N08B-F102 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 | - | 18193 | Detalles |
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FDP023N08B_F102 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 | - | 347 | Detalles |
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FDP025N06 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 | - | 806 | Detalles |
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FDP027N08B | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3 | - | 0 | Detalles |
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FDP027N08B-F102 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3 | - | 18448 | Detalles |
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FDP027N08B_F102 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3 | - | 907 | Detalles |
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FDP030N06 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 120A TO220 | - | 775 | Detalles |
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FDP030N06B-F102 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 | - | 54134 | Detalles |
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FDP030N06B_F102 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 | - | 446 | Detalles |
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FDP032N08 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220 | - | 5779 | Detalles |