FDC3512

MOSFET N-CH 80V 3A SSOT-6
FDC3512 P1
FDC3512 P2
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FDC3512 P2
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDC3512

Número de pieza
FDC3512
Fabricante
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 80V 3A SSOT-6
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza FDC3512
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 634pF @ 40V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77 mOhm @ 3A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor SuperSOT™-6
Paquete / caja SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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