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| Número de pieza | FDB024N08BL7 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 80V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 120A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 178nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 13530pF @ 40V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 246W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 mOhm @ 100A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D²PAK (TO-263) |
| Paquete / caja | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FDB0105N407L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 460A | - | 5600 | Detalles |
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FDB0165N807L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 310A TO263 | - | 0 | Detalles |
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FDB016N04AL7 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7 | - | 9600 | Detalles |
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FDB0170N607L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK | - | 1600 | Detalles |
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FDB0190N807L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 270A D2PAK | - | 0 | Detalles |
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FDB024N04AL7 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V D2PAK-7 | - | 0 | Detalles |
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FDB024N06 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | - | 800 | Detalles |
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FDB024N08BL7 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK7 | - | 0 | Detalles |
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FDB0250N807L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 240A D2PAK | - | 800 | Detalles |
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FDB0260N1007L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK | - | 0 | Detalles |
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FDB029N06 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | - | 16000 | Detalles |
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FDB0300N1007L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK | - | 1600 | Detalles |