FCP11N60N

MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220
FCP11N60N P1
FCP11N60N P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FCP11N60N

Número de pieza
FCP11N60N
Fabricante
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- FCP11N60N PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza FCP11N60N
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 10.8A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 35.6nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1505pF @ 100V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 299 mOhm @ 5.4A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / caja TO-220-3

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