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Número de pieza | EPC2111ENGRT |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Característica FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 16A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 5mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 15V, 590pF @ 15V |
Potencia - Max | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / caja | Die |
Paquete de dispositivo del proveedor | Die |