Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.
Número de pieza | EPC2106 |
---|---|
Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Característica FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 2A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 600µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 0.73nC @ 5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 75pF @ 50V |
Potencia - Max | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / caja | Die |
Paquete de dispositivo del proveedor | Die |