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| Número de pieza | EPC2022ENGRT |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 90A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 12mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 50V |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 25A, 5V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Die |
| Paquete / caja | Die |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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EPC2001 | EPC | TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE | 26500 | Detalles | |
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EPC2001C | EPC | TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE | 70000 | Detalles | |
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EPC2007 | EPC | TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE | 0 | Detalles | |
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EPC2007C | EPC | TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE | 15000 | Detalles | |
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EPC2010 | EPC | TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE | 5000 | Detalles | |
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EPC2010C | EPC | TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE | 12000 | Detalles | |
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EPC2010CENGR | EPC | TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE | 0 | Detalles | |
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EPC2012 | EPC | TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE | 4000 | Detalles | |
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EPC2012C | EPC | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE | 21000 | Detalles | |
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EPC2012CENGR | EPC | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE | 0 | Detalles | |
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EPC2014 | EPC | TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE | 26000 | Detalles | |
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EPC2014C | EPC | TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE | 97500 | Detalles |