ZXMN3F31DN8TA

MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
ZXMN3F31DN8TA P1
ZXMN3F31DN8TA P1
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Diodes Incorporated ~ ZXMN3F31DN8TA

Número de pieza
ZXMN3F31DN8TA
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza ZXMN3F31DN8TA
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 5.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 12.9nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 608pF @ 15V
Potencia - Max 1.8W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SO

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