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| Número de pieza | ZXGD3101N8TC |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Configuración Impulsada | High-Side or Low-Side |
| Tipo de canal | Single |
| Cantidad de controladores | 1 |
| Tipo de puerta | N-Channel MOSFET |
| Suministro de voltaje | 5 V ~ 15 V |
| Voltaje lógico - VIL, VIH | - |
| Actual - Salida máxima (Fuente, Sumidero) | 2.5A, 2.5A |
| Tipo de entrada | Non-Inverting |
| Alto voltaje lateral - Máx. (Bootstrap) | - |
| Tiempo de subida / bajada (Tipo) | 305ns, 20ns |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SO |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ZXGD3001E6QTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | - | 0 | Detalles |
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ZXGD3001E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | - | 3000 | Detalles |
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ZXGD3002E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | - | 6000 | Detalles |
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ZXGD3003E6QTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | - | 0 | Detalles |
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ZXGD3003E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | - | 3000 | Detalles |
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ZXGD3004E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | - | 6000 | Detalles |
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ZXGD3005E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DVR IGBT/MOSFET SOT26 | - | 39000 | Detalles |
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ZXGD3006E6QTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | - | 0 | Detalles |
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ZXGD3006E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | - | 6000 | Detalles |
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ZXGD3009DYTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT363 | - | 123000 | Detalles |
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ZXGD3009E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | - | 6000 | Detalles |
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ZXGD3101N8TC | Diodes Incorporated | IC SYNCH MOSFET CNTRLR 4A 8SO | - | 0 | Detalles |