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| Número de pieza | NMSD200B01-7 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 200mA (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Disipación de potencia (Máx) | 200mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 50mA, 5V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-363 |
| Paquete / caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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NMSD200B01-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT363 | - | 0 | Detalles |