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| Número de pieza | DMNH4005SCTQ |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 150A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2846pF @ 20V |
| Vgs (Max) | 20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 165W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 20A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220AB |
| Paquete / caja | TO-220-3 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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DMNH10H028SCT | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T | - | 22 | Detalles |
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DMNH10H028SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 55A TO252 | - | 0 | Detalles |
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DMNH10H028SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 55A TO252 | - | 0 | Detalles |
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DMNH10H028SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI | - | 0 | Detalles |
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DMNH10H028SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506 | - | 5000 | Detalles |
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DMNH3010LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 15A TO252 | - | 0 | Detalles |
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DMNH4005SCT | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V 60V TO220-3 | - | 0 | Detalles |
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DMNH4005SCTQ | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V 40V TO220AB | - | 3750 | Detalles |
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DMNH4005SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506 | - | 5000 | Detalles |
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DMNH4006SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 18A TO252 | - | 0 | Detalles |
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DMNH4006SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 20A TO252 | - | 7500 | Detalles |
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DMNH4006SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 40V 110A POWERDI | - | 2500 | Detalles |