DMN6069SFGQ-13

MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333
DMN6069SFGQ-13 P1
DMN6069SFGQ-13 P1
Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.

Diodes Incorporated ~ DMN6069SFGQ-13

Número de pieza
DMN6069SFGQ-13
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- DMN6069SFGQ-13 PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
  • En stock $ Cantidad pcs
  • Precio de referencia : submit a request

Enviar una solicitud de cotización en cantidades mayores que las mostradas.

Parámetro del producto

Todos los productos

Número de pieza DMN6069SFGQ-13
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 18A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1480pF @ 30V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 2.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 4.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PowerDI3333-8
Paquete / caja 8-PowerVDFN

Productos relacionados

Todos los productos