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| Número de pieza | DMN1032UCB4-7 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 12V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.8A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 6V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 900mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | U-WLB1010-4 |
| Paquete / caja | 4-UFBGA, WLBGA |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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DMN100-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3 | - | 6000 | Detalles |
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DMN1002UCA6-7 | Diodes Incorporated | MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6 | - | 151364 | Detalles |
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DMN1003UCA6-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6 | - | 147589 | Detalles |
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DMN1004UFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6 | - | 338403 | Detalles |
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DMN1004UFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6 | - | 299323 | Detalles |
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DMN1004UFV-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333 | - | 0 | Detalles |
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DMN1004UFV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333 | - | 4000 | Detalles |
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DMN1006UCA6-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6 | - | 186435 | Detalles |
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DMN1008UFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH30V SC-59 | - | 470396 | Detalles |
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DMN1008UFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH30V SC-59 | - | 419037 | Detalles |
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DMN1014UFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 8V-24V U-DFN2020-6 | - | 611912 | Detalles |
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DMN1014UFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 8V-24V U-DFN2020-6 | - | 534709 | Detalles |