Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.
| Número de pieza | DMJ70H1D3SJ3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 700V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.6A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 13.9nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 351pF @ 50V |
| Vgs (Max) | - |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 41W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-251 |
| Paquete / caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMJ70H1D0SV3 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251 | - | 52148 | Detalles |
 |
DMJ70H1D3SH3 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251 | 40 | Detalles | |
 |
DMJ70H1D3SI3 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251 | - | 60 | Detalles |
 |
DMJ70H1D3SJ3 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH TO251 | - | 3975 | Detalles |
|
DMJ70H1D4SV3 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251 | - | 66931 | Detalles |
|
DMJ70H1D5SV3 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251 | - | 64771 | Detalles |
|
DMJ70H600SH3 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251 | - | 0 | Detalles |
 |
DMJ70H601SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252 | - | 44916 | Detalles |
|
DMJ70H601SV3 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251 | - | 43774 | Detalles |
|
DMJ70H900HJ3 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251 | - | 0 | Detalles |
 |
DMJ7N70SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 700V 3.9A | - | 5000 | Detalles |