DMG7N65SCTI

MOSFET BVDSS: 501V 650V ITO-220A
DMG7N65SCTI P1
DMG7N65SCTI P1
Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.

Diodes Incorporated ~ DMG7N65SCTI

Número de pieza
DMG7N65SCTI
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET BVDSS: 501V 650V ITO-220A
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- DMG7N65SCTI PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
  • En stock $ Cantidad pcs
  • Precio de referencia : submit a request

Enviar una solicitud de cotización en cantidades mayores que las mostradas.

Parámetro del producto

Todos los productos

Número de pieza DMG7N65SCTI
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 7.7A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 25.2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 886pF @ 50V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor ITO-220AB
Paquete / caja TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Productos relacionados

Todos los productos