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| Número de pieza | DMG1016UDW-7 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N and P-Channel |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.07A, 845mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 0.74nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 60.67pF @ 10V |
| Potencia - Max | 330mW |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-363 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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DMG1012T-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 8V-24V SOT523 TR | - | 1446204 | Detalles |
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DMG1012T-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523 | - | 0 | Detalles |
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DMG1012TQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 20V 630MA SOT523 | - | 48000 | Detalles |
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DMG1012UW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1A SOT323 | - | 129000 | Detalles |
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DMG1013T-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 0.46A SOT-523 | - | 0 | Detalles |
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DMG1013TQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT523 | - | 0 | Detalles |
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DMG1013UW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323 | - | 63000 | Detalles |
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DMG1013UWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET PCH 20V 820MA SOT323 | - | 0 | Detalles |
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DMG1013UWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 0.82A SOT323 | - | 0 | Detalles |
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DMG1016UDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 20V SOT363 | - | 36000 | Detalles |
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DMG1016V-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 20V SOT563 | - | 42000 | Detalles |
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DMG1016VQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 20V SOT563 | - | 0 | Detalles |