Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.
| Número de pieza | BAS521LPQ-7B |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 325V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 400mA (DC) |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 100mA |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 50ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 150nA @ 250V |
| Capacitancia @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 0402 (1006 Metric) |
| Paquete de dispositivo del proveedor | X1-DFN1006-2 |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -65°C ~ 150°C |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BAS516,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523 | 0 | Detalles | |
 |
BAS516,135 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523 | 0 | Detalles | |
 |
BAS516,315 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523 | 0 | Detalles | |
 |
BAS516,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC | - | 2152293 | Detalles |
|
BAS516,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC | - | 2386238 | Detalles |
 |
BAS516-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD523 | - | 1463559 | Detalles |
 |
BAS5202VE6127XT | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 45V 750MA SC79-2 | 0 | Detalles | |
 |
BAS5202VH6327XTSA1 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 45V 750MA SC79-2 | - | 716338 | Detalles |
 |
BAS5202VH6433XTMA1 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 45V 750MA SC79-2 | 0 | Detalles | |
 |
BAS521,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 300V 250MA SOD523 | 0 | Detalles | |
 |
BAS521,135 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 300V 250MA SOD523 | 0 | Detalles | |
 |
BAS521,315 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 300V 250MA SOD523 | 0 | Detalles |