S34MS02G200TFV000

NAND
S34MS02G200TFV000 P1
S34MS02G200TFV000 P1
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Cypress Semiconductor Corp ~ S34MS02G200TFV000

Número de pieza
S34MS02G200TFV000
Fabricante
Cypress Semiconductor Corp
Descripción
NAND
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- S34MS02G200TFV000 PDF online browsing
Familia
Memoria
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Parámetro del producto

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Número de pieza S34MS02G200TFV000
Estado de la pieza Active
Tipo de memoria Non-Volatile
Formato de memoria FLASH
Tecnología FLASH - NAND
Tamaño de la memoria 2Gb (256M x 8)
Frecuencia de reloj -
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página 45ns
Tiempo de acceso 45ns
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 1.7 V ~ 1.95 V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo de montaje -
Paquete / caja -
Paquete de dispositivo del proveedor -

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