S27KL0641DABHV020

IC DRAM 64MBIT 3V 100MHZ 24BGA
S27KL0641DABHV020 P1
S27KL0641DABHV020 P1
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Cypress Semiconductor Corp ~ S27KL0641DABHV020

Número de pieza
S27KL0641DABHV020
Fabricante
Cypress Semiconductor Corp
Descripción
IC DRAM 64MBIT 3V 100MHZ 24BGA
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
S27KL0641DABHV020.pdf S27KL0641DABHV020 PDF online browsing
Familia
Memoria
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Número de pieza S27KL0641DABHV020
Estado de la pieza Active
Tipo de memoria Volatile
Formato de memoria DRAM
Tecnología DRAM
Tamaño de la memoria 64Mb (8M x 8)
Frecuencia de reloj 100MHz
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página -
Tiempo de acceso 40ns
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 2.7 V ~ 3.6 V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 24-VBGA
Paquete de dispositivo del proveedor 24-FBGA (6x8)

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