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| Número de pieza | A1N5404G-G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 3A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 3A |
| Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 400V |
| Capacitancia @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | DO-201AA, DO-27, Axial |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DO-27 |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 150°C |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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A1N5404G-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 400V 3A DO27 | 1200 | Detalles |