1N4150 TR

DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
1N4150 TR P1
1N4150 TR P1
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Central Semiconductor Corp ~ 1N4150 TR

Número de pieza
1N4150 TR
Fabricante
Central Semiconductor Corp
Descripción
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Diodos - Rectificadores
- Simple
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Número de pieza 1N4150 TR
Estado de la pieza Active
Tipo de diodo Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) 50V
Corriente - promedio rectificado (Io) 200mA
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si 1V @ 200mA
Velocidad Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tiempo de recuperación inversa (trr) 6ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 100nA @ 50V
Capacitancia @ Vr, F 2.5pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / caja DO-204AH, DO-35, Axial
Paquete de dispositivo del proveedor DO-35
Temperatura de funcionamiento - unión -65°C ~ 200°C

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