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| Número de pieza | TC6320TG-G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N and P-Channel |
| Característica FET | Standard |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 25V |
| Potencia - Max | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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TC63 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | CAP ALUM 12UF 350V AXIAL | 0 | Detalles | |
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TC6320K6-G | Microchip Technology | MOSFET N/P-CH 200V 8VDFN | - | 0 | Detalles |
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TC6320TG-G | Microchip Technology | MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC | - | 0 | Detalles |
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TC6321T-V/9U | Microchip Technology | MOSFET ARRAY N/P-CH 200V 8VDFN | 3300 | Detalles |