LND01K1-G

MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
LND01K1-G P1
LND01K1-G P1
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Microchip Technology ~ LND01K1-G

Número de pieza
LND01K1-G
Fabricante
Microchip Technology
Descripción
MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza LND01K1-G
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 9V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 330mA (Tj)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 0V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 46pF @ 5V
Vgs (Max) +0.6V, -12V
Característica FET Depletion Mode
Disipación de potencia (Máx) 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 100mA, 0V
Temperatura de funcionamiento -25°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor SOT-23-5
Paquete / caja SC-74A, SOT-753

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