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Número de pieza | AOV11S60 |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 650mA (Ta), 8A (Tc) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.1V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 545pF @ 100V |
Vgs (Max) | ±30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 8.3W (Ta), 156W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 3.8A, 10V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | 4-DFN-EP (8x8) |
Paquete / caja | 4-VSFN Exposed Pad |