AOB7S65L

MOSFET N-CH 650V 7A TO263
AOB7S65L P1
AOB7S65L P1
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AOB7S65L

Número de pieza
AOB7S65L
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descripción
MOSFET N-CH 650V 7A TO263
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza AOB7S65L
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 7A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 9.2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 434pF @ 100V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650 mOhm @ 3.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TO-263 (D²Pak)
Paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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