AO4600C

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
AO4600C P1
AO4600C P1
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AO4600C

Número de pieza
AO4600C
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descripción
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- AO4600C PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza AO4600C
Estado de la pieza Preliminary
Tipo de FET N and P-Channel
Característica FET Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 7.5A (Ta), 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 7.5A, 10V, 42 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA, 1.3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V, 12.2nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 15V, 1200pF @ 15V
Potencia - Max 2W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SOIC

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