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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | VS-FB180SA10P |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 180A |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 380nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10700pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 480W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 180A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227 |
| Paket / Fall | SOT-227-4 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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VS-FB180SA10P | Vishay Semiconductor Diodes Division | MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227 | 0 | Einzelheiten | |
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VS-FB190SA10 | Vishay Semiconductor Diodes Division | MOSFET N-CH 100V 190A SOT227 | - | 42 | Einzelheiten |