VS-50MT060WHTAPBF

IGBT 600V 114A 658W MTP
VS-50MT060WHTAPBF P1
VS-50MT060WHTAPBF P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Vishay Semiconductor Diodes Division ~ VS-50MT060WHTAPBF

Artikelnummer
VS-50MT060WHTAPBF
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung
IGBT 600V 114A 658W MTP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- VS-50MT060WHTAPBF PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer VS-50MT060WHTAPBF
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 114A
Leistung max 658W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 100A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 400µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 7.1nF @ 30V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall 12-MTP Module
Lieferantengerätepaket MTP

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