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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SUD50NP04-77P-T4E3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N and P-Channel, Common Drain |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 37 mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 20V |
| Leistung max | 10.8W, 24W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
| Lieferantengerätepaket | TO-252-4L |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SUD50N02-04P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 50A DPAK | - | 0 | Einzelheiten |
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SUD50N02-06P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 50A TO252 | - | 0 | Einzelheiten |
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SUD50N02-09P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V DPAK | - | 0 | Einzelheiten |
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SUD50N02-09P-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 20A TO252 | 0 | Einzelheiten | |
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SUD50N024-09P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 22V 49A TO252 | - | 0 | Einzelheiten |
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SUD50N025-06P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 78A TO252 | - | 0 | Einzelheiten |
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SUD50N03-06AP-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 90A TO252 | - | 4000 | Einzelheiten |
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SUD50N03-06AP-T4E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 90A TO252 | - | 0 | Einzelheiten |
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SUD50N03-06P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 84A TO252 | - | 0 | Einzelheiten |
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SUD50N03-09P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 63A TO252 | - | 2000 | Einzelheiten |
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SUD50N03-09P-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 63A TO252 | - | 0 | Einzelheiten |
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SUD50N03-11-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 50A TO252 | - | 0 | Einzelheiten |