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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SQJ570EP-T1_GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N and P-Channel |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc), 9.5A (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 6A, 10V, 146 mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V, 15nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 25V, 600pF @ 25V |
| Leistung max | 27W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SQJ570EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY N/P-CH 100V SO8 | - | 0 | Einzelheiten |