SQ4946AEY-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 60V 7A
SQ4946AEY-T1_GE3 P1
SQ4946AEY-T1_GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SQ4946AEY-T1_GE3

Artikelnummer
SQ4946AEY-T1_GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 7A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer SQ4946AEY-T1_GE3
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 7A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 750pF @ 25V
Leistung max 4W
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SO

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