Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | SIZF916DT-T1-GE3 |
---|---|
Teilstatus | Active |
FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Eigenschaft | Standard |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 23A (Ta), 40A (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 10A, 10V, 1.25 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V, 95nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V |
Leistung max | 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
Lieferantengerätepaket | 8-PowerPair® (6x5) |