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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SIZ914DT-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 16A, 40A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 6.4 mOhm @ 19A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1208pF @ 15V |
| Leistung max | 22.7W, 100W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-WDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 8-PowerPair® |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SIZ910DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR | - | 0 | Einzelheiten |
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SIZ914DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR | - | 0 | Einzelheiten |
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SIZ916DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR | - | 0 | Einzelheiten |
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SIZ918DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR | - | 3000 | Einzelheiten |