SIZ730DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
SIZ730DT-T1-GE3 P1
SIZ730DT-T1-GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SIZ730DT-T1-GE3

Artikelnummer
SIZ730DT-T1-GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer SIZ730DT-T1-GE3
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 16A, 35A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 9.3 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 830pF @ 15V
Leistung max 27W, 48W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-PowerPair™
Lieferantengerätepaket 6-PowerPair™

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