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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SISS92DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 250V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.4A (Ta), 12.3A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 173 mOhm @ 3.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 125V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® 1212-8S |
| Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8S |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SISS92DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V POWERPAK 1212 | - | 116401 | Einzelheiten |
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SISS98DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 14.1A 1212-8 | - | 0 | Einzelheiten |