Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | SISH617DN-T1-GE3 |
---|---|
Teilstatus | Active |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 13.9A (Ta), 35A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 12.3 mOhm @ 13.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 59nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 15V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PowerPAK® 1212-8SH |
Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8SH |