SISB46DN-T1-GE3

MOSFET ARRAY 2N-CH 40V 1212-8
SISB46DN-T1-GE3 P1
SISB46DN-T1-GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SISB46DN-T1-GE3

Artikelnummer
SISB46DN-T1-GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Beschreibung
MOSFET ARRAY 2N-CH 40V 1212-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer SISB46DN-T1-GE3
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 34A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 11.71 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 20V
Leistung max 23W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® 1212-8 Dual
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8 Dual

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