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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SIR106DP-T1-RE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 16.1A (Ta), 65.8A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3610pF @ 50V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 3.2W (Ta), 83.3W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SO-8 |
| Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SIR104DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8 | - | 51726 | Einzelheiten |
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SIR106DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8 | - | 72264 | Einzelheiten |
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SIR108DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8 | - | 81490 | Einzelheiten |